对比图
型号 BUK7E2R3-40E,127 BUK9E2R3-40E,127
描述 I2PAK N-CH 40V 120AI2PAK N-CH 40V 120A
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-262-3 TO-262-3
极性 N-CH N-CH
耗散功率 293W (Tc) 293W (Tc)
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 120A 120A
上升时间 36 ns -
输入电容(Ciss) 8500pF @25V(Vds) 13160pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 293 W 293 W
下降时间 46 ns -
耗散功率(Max) 293W (Tc) 293W (Tc)
封装 TO-262-3 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete
包装方式 Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free 无铅