对比图
型号 FMD40-06KC TK39A60W APT40N60JCU2
描述 Trans MOSFET N-CH 600V 38A 5Pin(5+Tab) ISOPLUS I4-PACTO-220SIS N-CH 600V 38.8AISOTOP升压斩波超级结MOSFET功率模块 ISOTOP Boost chopper Super Junction MOSFET Power Module
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor Toshiba (东芝) Microsemi (美高森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole - Chassis
引脚数 - - 4
封装 ISOPLUS-i4-PAK-5 SC-67 SOT-227-4
极性 - N-CH N-CH
耗散功率 - - 290000 mW
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) - 38.8A 40A
上升时间 30 ns - 30 ns
输入电容(Ciss) - - 7015pF @25V(Vds)
下降时间 10 ns - 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 290W (Tc)
通道数 1 - -
漏源极电阻 60 mΩ - -
阈值电压 3.9 V - -
漏源击穿电压 600 V - -
高度 20.88 mm - 9.6 mm
封装 ISOPLUS-i4-PAK-5 SC-67 SOT-227-4
长度 19.91 mm - -
宽度 5.03 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube - Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free