IXFP22N60P3和IXFV22N60P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFP22N60P3 IXFV22N60P IXTQ22N60P

描述 N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3Pin(3+Tab) PLUS 220N沟道 600V 22A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-3-3

引脚数 3 - 3

额定电压(DC) - 600 V 600 V

额定电流 - 22.0 A 22.0 A

漏源极电阻 - 350 mΩ 350 mΩ

极性 N-CH N-Channel -

耗散功率 500W (Tc) 400W (Tc) 400 W

阈值电压 - 5.5 V -

输入电容 - 3.60 nF 3.60 nF

栅电荷 - 58.0 nC 62.0 nC

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 - 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 22A 22.0 A 22.0 A

输入电容(Ciss) 2600pF @25V(Vds) 3600pF @25V(Vds) 3600pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 500W (Tc) 400W (Tc) 400W (Tc)

通道数 - - 1

上升时间 - - 20 ns

下降时间 - - 23 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃

额定功率(Max) 500 W - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-3-3

长度 10.66 mm - 15.8 mm

宽度 4.83 mm - 4.9 mm

高度 16 mm - 20.3 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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