FDB5800和FDB5800_F085

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDB5800 FDB5800_F085 HUF76445S3S

描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。MOSFET N-CH 60V 80A D2PAKMOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.0046 Ω - -

耗散功率 242 W 242W (Tc) 310W (Tc)

阈值电压 1 V - -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

上升时间 22 ns 22 ns -

输入电容(Ciss) 6625pF @15V(Vds) 6625pF @15V(Vds) 4965pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 242 W - -

下降时间 12.1 ns 12.1 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 242 W 242W (Tc) 310W (Tc)

长度 10.67 mm - -

宽度 11.33 mm - -

高度 4.83 mm - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准

含铅标准 Lead Free 无铅 无铅

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

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