IS43DR16160A-25EBL和IS43DR16160B-25DBL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS43DR16160A-25EBL IS43DR16160B-25DBL

描述 DDR DRAM, 16MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.5MM, 1.2MM HEIGHT, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, TWBGA-84256M, 1.8V, DDR2, 16Mx16, 400MHz @ CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 84 84

封装 BGA-84 BGA-84

位数 16 16

存取时间 - 2.5 ns

存取时间(Max) 0.4 ns 0.4 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) - 1.9 V

电源电压(Min) - 1.7 V

封装 BGA-84 BGA-84

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 - EAR99

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