IRF640S和IRF640SPBF

对比图

型号 IRF640S IRF640SPBF STB19NB20

描述 N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO- 263 MESH合成] MOSFET N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-263 MESH OVERLAY] MOSFET功率MOSFET Power MOSFETN - 沟道增强型的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH] MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 D2PAK

引脚数 - 3 -

通道数 1 - -

漏源极电阻 180 mΩ 0.18 Ω -

耗散功率 125 W 130 W -

漏源击穿电压 200 V - -

上升时间 27 ns 51 ns -

下降时间 25 ns 36 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 65 ℃ -55 ℃ -

针脚数 - 3 -

极性 - N-Channel N-CH

阈值电压 - 4 V -

漏源极电压(Vds) - 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) - 18.0 A 19A

输入电容(Ciss) - 1300pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 130 W -

耗散功率(Max) - 130 W -

长度 10.4 mm 10.67 mm -

宽度 9.35 mm 9.65 mm -

高度 4.6 mm 4.83 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 D2PAK

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tube Tube

最小包装 - 2000 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -