JAN2N5416和JANS2N5416UA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N5416 JANS2N5416UA JANTX2N5416

描述 PNP小功率硅晶体管 PNP LOW POWER SILICON TRANSISTORUA PNPPNP小功率硅晶体管 PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 4 3

封装 TO-5 SMD-4 TO-5

耗散功率 0.75 W - 0.75 W

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V 300 V

最小电流放大倍数(hFE) 30 @50mA, 10V 30 @50mA, 10V 30 @50mA, 10V

额定功率(Max) 750 mW 750 mW 750 mW

工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 750 mW - 750 mW

极性 - PNP -

封装 TO-5 SMD-4 TO-5

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Bag Tray Bag

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead

香港进出口证 - - NLR

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台