对比图
型号 IXTQ140N10P IXTT140N10P IXFH140N10P
描述 IXTQ 系列 单 N 沟道 100 V 11 mOhm 600 W 功率 Mosfet - TO-3PIXTT 系列 单通道 N 沟道 100 V 11 mOhm 600 W 功率 Mosfet - TO-268N沟道 100V 140A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-3-3 TO-268-3 TO-247-3
耗散功率 600W (Tc) 600 W 600 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
上升时间 50 ns 50 ns 50 ns
输入电容(Ciss) 4700pF @25V(Vds) 4700pF @25V(Vds) 4700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 600 W 600 W
下降时间 26 ns 26 ns 26 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 600W (Tc) 600W (Tc) 600W (Tc)
极性 N-CH N-CH -
连续漏极电流(Ids) 140A 140A -
长度 - - 16.26 mm
宽度 - - 5.3 mm
高度 - - 21.46 mm
封装 TO-3-3 TO-268-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free