对比图
描述 NPN 晶体管，高达 30V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。一瓦的放大器晶体管NPN硅 One Watt Amplifier Transistor NPN SiliconNPN 晶体管，高达 30V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3
频率 50 MHz - 50 MHz
额定电压(DC) 30.0 V 80.0 V 30.0 V
额定电流 100 mA 1.00 A 100 mA
极性 NPN N-Channel NPN
耗散功率 625 mW 1 W 0.625 W
集电极击穿电压 35.0 V - 35.0 V
击穿电压(集电极-发射极) 30 V 80 V 30 V
集电极最大允许电流 0.1A 0.5A 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) 300 50 @250mA, 1V 300
最大电流放大倍数(hFE) 900 - 900
额定功率(Max) 625 mW 1 W 625 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -50 ℃
耗散功率(Max) 625 mW - 625 mW
长度 5.2 mm 5.21 mm 5.2 mm
宽度 4.19 mm 4.19 mm 4.19 mm
高度 5.33 mm 7.87 mm 5.33 mm
封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Box Bulk Box
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
ECCN代码 EAR99 - EAR99