71016S20PHGI和71016S20PHI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71016S20PHGI 71016S20PHI IDT71016S20PHI

描述 静态随机存取存储器 64Kx16 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAMSRAM Chip Async Single 5V 1M-Bit 64K x 16 20ns 44Pin TSOP-II TubeCMOS静态RAM 1兆欧( 64K ×16位) CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片双极性晶体管存储芯片

基础参数对比

引脚数 44 44 -

封装 TSOP-44 TSOP TSOP-44

安装方式 - - Surface Mount

供电电流 170 mA 170 mA -

存取时间 20 ns 20 ns -

存取时间(Max) 20 ns 20 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

电源电压 4.5V ~ 5.5V 5 V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V - -

电源电压(Min) 4.5 V - -

长度 18.41 mm - -

宽度 10.16 mm - -

高度 1 mm 1 mm -

封装 TSOP-44 TSOP TSOP-44

厚度 1.00 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ - -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - 3A991

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