PBSS3515F和PBSS3515M,315

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PBSS3515F PBSS3515M,315

描述 15V low VCEsat PNP transistorDFN PNP 15V 0.5A

数据手册 --

制造商 Philips (飞利浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SC-89 SOT-883

频率 - 280 MHz

极性 - PNP

耗散功率 - 0.43 W

击穿电压(集电极-发射极) - 15 V

集电极最大允许电流 - 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) - 150 @100mA, 2V

额定功率(Max) - 430 mW

耗散功率(Max) 250 mW 430 mW

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -

封装 SC-89 SOT-883

长度 1.7 mm -

宽度 0.95 mm -

高度 0.8 mm -

工作温度 - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

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