对比图
型号 PH3855L,115 PSMN014-40YS HAT2266H-EL-E
描述 LFPAK N-CH 55V 24ANXP PSMN014-40YS 晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 40 V, 11 mohm, 10 V, 3 V硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Renesas Electronics (瑞萨电子)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 5 4 5
封装 Power-SO8 SOT-669 SOT-669
针脚数 - 4 -
漏源极电阻 - 0.011 Ω -
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 50 W 56 W 23 W
阈值电压 - 3 V -
漏源极电压(Vds) 55 V 40 V 60 V
输入电容(Ciss) 765pF @25V(Vds) 702pF @20V(Vds) 3600pF @10V(Vds)
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 50W (Tc) 56 W 23W (Tc)
连续漏极电流(Ids) 24A - 30A
上升时间 93 ns - 15 ns
额定功率(Max) 50 W - 23 W
下降时间 72 ns - 5.5 ns
长度 5 mm 5 mm -
宽度 4.1 mm 4.1 mm -
高度 1.1 mm 1.1 mm -
封装 Power-SO8 SOT-669 SOT-669
产品生命周期 Obsolete Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Exempt RoHS Compliant
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
含铅标准 Lead Free - Lead Free
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon