对比图
型号 STP75N20 STP75NF20 STW75N20
描述 N沟道200V - 0.028Ω - 75A - D2PAK - TO- 220 - TO- 247低栅极电荷的STripFET ？功率MOSFET N-channel 200V - 0.028Ω - 75A - D2PAK - TO-220 - TO-247 Low gate charge STripFET? Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STP75NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 200 V, 34 mohm, 10 V, 3 VN沟道200V - 0.028Ω - 75A - D2PAK - TO- 220 - TO- 247低栅极电荷的STripFET ？功率MOSFET N-channel 200V - 0.028Ω - 75A - D2PAK - TO-220 - TO-247 Low gate charge STripFET? Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-247-3
引脚数 - 3 -
额定电压(DC) 200 V - 200 V
额定电流 75.0 A - 75.0 A
耗散功率 190W (Tc) 190 W 190W (Tc)
栅电荷 - - 84.0 nC
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 75.0 A 47.0 A, 75.0 A 75.0 A
输入电容(Ciss) 3260pF @25V(Vds) 3260pF @25V(Vds) 3260pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 190 W 190 W 190 W
耗散功率(Max) 190W (Tc) 190W (Tc) 190W (Tc)
输入电容 3.17 nF 3260 pF -
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.034 Ω -
极性 - N-Channel -
阈值电压 - 3 V -
漏源击穿电压 - 200 V -
上升时间 - 33 ns -
下降时间 - 29 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -50 ℃ -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-247-3
长度 - 10.4 mm -
宽度 - 4.6 mm -
高度 - 15.75 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -50℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -