IXTA200N055T2和IXTP220N055T

对比图

型号 IXTA200N055T2 IXTP220N055T IXTH220N055T

描述 N-Channel 55V 200A 4.2mΩ Surface Mount TrenchT2 Power Mosfet - TO-263TO-220AB N-CH 55V 220ATO-247 N-CH 55V 220A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

引脚数 4 - -

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-247-3

通道数 1 1 -

漏源极电阻 3.3 mΩ 4 mΩ -

耗散功率 360 W 430 W 430W (Tc)

阈值电压 4 V - -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

漏源击穿电压 55 V 55 V -

上升时间 22 ns 62 ns -

输入电容(Ciss) 6800pF @25V(Vds) 7200pF @25V(Vds) 7200pF @25V(Vds)

下降时间 27 ns 53 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 360W (Tc) 430W (Tc) 430W (Tc)

极性 - N-CH N-CH

连续漏极电流(Ids) - 220A 220A

长度 9.65 mm 10.66 mm -

宽度 10.41 mm 4.83 mm -

高度 4.83 mm 9.15 mm -

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free