IPI65R190CFD和IPI65R190CFDXKSA1

对比图

型号 IPI65R190CFD IPI65R190CFDXKSA1 SPI20N60CFDHKSA1

描述 ？金属氧化物Semiconduvtor场效应晶体管 Metal Oxide Semiconduvtor Field Effect TransistorTO-262 N-CH 650V 17.5ATO-262 N-CH 600V 20.7A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3-1

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 - 151W (Tc) 208W (Tc)

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V

连续漏极电流(Ids) 17.5A 17.5A 20.7A

输入电容(Ciss) 1850pF @100V(Vds) 1850pF @100V(Vds) 2400pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) - 151W (Tc) 208W (Tc)

额定功率 - 151 W -

上升时间 8.4 ns 8.4 ns -

下降时间 6.4 ns 6.4 ns -

阈值电压 4 V - -

额定功率(Max) 151 W - -

工作温度(Min) -55.0 ℃ - -

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3-1

长度 10.2 mm 10.2 mm -

宽度 4.5 mm 4.5 mm -

高度 9.45 mm 9.45 mm -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube, Rail

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free