IPD15N06S2L-64和SPD15N06S2L-64

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPD15N06S2L-64 SPD15N06S2L-64

描述 的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) - 55.0 V

额定电流 - 19.0 A

极性 N-CH N-CH

耗散功率 47 W 47W (Tc)

输入电容 - 445 pF

栅电荷 - 13.0 nC

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 19A 19.0 A

输入电容(Ciss) 354pF @25V(Vds) 445pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) - 47W (Tc)

通道数 1 -

漏源极电阻 64 mΩ -

漏源击穿电压 55 V -

上升时间 14 ns -

额定功率(Max) 47 W -

下降时间 12 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -

封装 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.5 mm -

宽度 6.22 mm -

高度 2.3 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead

ECCN代码 EAR99 -

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