APT8052BFLLG和IXFH15N80

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT8052BFLLG IXFH15N80 IXFH15N80Q

描述 Trans MOSFET N-CH 800V 15A 3Pin(3+Tab) TO-247IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH15N80  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 800 V, 600 mohm, 10 V, 4.5 VTO-247AD N-CH 800V 15A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 800 V 800 V 800 V

额定电流 15.0 A 15.0 A 15.0 A

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 600 mΩ 600 mΩ

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 298 W 300 W 300 W

阈值电压 - 4.5 V -

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

漏源击穿电压 - 800 V -

连续漏极电流(Ids) 15.0 A 15.0 A 15.0 A

上升时间 6 ns 33 ns 27 ns

输入电容(Ciss) 2035pF @25V(Vds) 4870pF @25V(Vds) 4300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 300 W 300 W

下降时间 7 ns 32 ns 16 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

工作结温(Max) - 150 ℃ -

耗散功率(Max) 298000 mW 300W (Tc) 300W (Tc)

额定功率 - - 300 W

输入电容 2.04 nF - -

栅电荷 75.0 nC - -

长度 - 16.26 mm -

宽度 - 5.3 mm -

高度 - 21.46 mm -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

材质 - Silicon -

重量 - 6 g -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Not Recommended

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

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