对比图
型号 IXFT36N50P IXTH36N50P FDA28N50F
描述 Trans MOSFET N-CH 500V 36A 3Pin(2+Tab) TO-268IXYS SEMICONDUCTOR IXTH36N50P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 36 A, 500 V, 170 mohm, 10 V, 5 VUniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-268-3 TO-247-3 TO-3-3
通道数 - - 1
漏源极电阻 0.17 Ω 0.17 Ω 175 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 540 W 540 W 310 W
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V - 500 V
连续漏极电流(Ids) 36.0 A 36.0 A 28A
上升时间 27 ns 27 ns 137 ns
输入电容(Ciss) 5500pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 5387pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 540 W 310 W
下降时间 21 ns 21 ns 101 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 540W (Tc) 540W (Tc) 310W (Tc)
额定电压(DC) 500 V 500 V -
额定电流 36.0 A 36.0 A -
针脚数 - 3 -
阈值电压 5 V 5 V -
输入电容 5.50 nF 5.50 nF -
栅电荷 93.0 nC 85.0 nC -
反向恢复时间 - 400 ns -
长度 16.05 mm - 15.8 mm
宽度 14 mm - 5 mm
高度 5.1 mm - 20.1 mm
封装 TO-268-3 TO-247-3 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -