VS-MBRD660CTTRR-M3和VS-MBRD660CTTRRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VS-MBRD660CTTRR-M3 VS-MBRD660CTTRRPBF

描述 Diode Schottky 60V 6A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RDiode Schottky 60V 6A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 二极管阵列二极管阵列

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3

正向电压 700mV @3A 650mV @3A

正向电流 - 6 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 490 A

正向电压(Max) - 650mV @3A

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - 40 ℃

长度 - 6.73 mm

宽度 - 6.22 mm

高度 - 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 - 40℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

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