IDD09SG60CXTMA1和IDH09SG60C

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDD09SG60CXTMA1 IDH09SG60C IDD09SG60C

描述 Diode Schottky 600V 9A 3Pin(2+Tab) TO-252第三代的thinQ ! TM SiC肖特基二极管 3rd Generation thinQ!TM SiC Schottky DiodeINFINEON  IDD09SG60C  二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 3G 600V系列, 单, 600 V, 9 A, 15 nC, TO-252

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 TVS二极管TVS二极管肖特基二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-220-2 TO-252-3

引脚数 - 2 3

正向电压 2.1V @9A - 2.1 V

反向恢复时间 0 ns - 0 ns

额定功率 - 115 W 115 W

负载电流 - 9 A 9 A

正向电流 - - 9 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) - - 49 A

正向电压(Max) - - 2.1V @9A

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - 55 ℃

工作结温(Max) - - 175 ℃

封装 TO-252-3 TO-220-2 TO-252-3

长度 - 10.2 mm 6.73 mm

宽度 - 4.5 mm 6.22 mm

高度 - 9.45 mm 2.41 mm

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ 55℃ ~ 175℃

ECCN代码 - EAR99 -

香港进出口证 - NLR -

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