对比图
型号 IRL1004S IRL1004STRLPBF IRL1004SPBF
描述 D2PAK N-CH 40V 130AD2PAK N-CH 40V 130AINFINEON IRL1004SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 40 V, 6.5 mohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定功率 - 150 W 150 W
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.8 W 3.1 W
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 130A 130A 130A
上升时间 - 210 ns 210 ns
输入电容(Ciss) 5330pF @25V(Vds) 5330pF @25V(Vds) 5330pF @25V(Vds)
下降时间 - 14 ns 14 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.0065 Ω
阈值电压 - - 1 V
漏源击穿电压 - - 40 V
长度 - 6.5 mm 10.67 mm
宽度 - 6.22 mm 9.65 mm
高度 - 2.3 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Obsolete
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -