对比图
型号 IXFN180N10 IXFN230N10 IXFN150N10
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFN180N10 晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 180 A, 100 V, 8 mohm, 10 V, 4 VIXYS SEMICONDUCTOR IXFN230N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 230 A, 100 V, 6 mohm, 10 V, 4 VTrans MOSFET N-CH 100V 150A 4Pin SOT-227B
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Chassis Chassis Chassis
引脚数 4 4 4
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
通道数 1 1 -
针脚数 4 4 -
漏源极电阻 0.008 Ω 0.006 Ω -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 600 W 700 W 520 W
阈值电压 4 V 4 V -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V - -
连续漏极电流(Ids) 180 A 230 A -
上升时间 90 ns 150 ns 60 ns
隔离电压 2.50 kV - -
输入电容(Ciss) 9100pF @25V(Vds) 19000pF @25V(Vds) 9000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 600 W 700 W 520 W
下降时间 65 ns 60 ns 60 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 600W (Tc) 700W (Tc) 520W (Tc)
额定电压(DC) - - 100 V
额定电流 - - 150 A
长度 38.23 mm - 38.23 mm
宽度 25.42 mm 25.42 mm 25.42 mm
高度 9.6 mm - 9.6 mm
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
材质 Silicon Silicon Silicon
重量 42.0 g - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -
ECCN代码 - EAR99 -