对比图
型号 IXFQ94N30P3 IXFT94N30P3 IXFH94N30P3
描述 N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备IXYS SEMICONDUCTOR IXFH94N30P3 晶体管, MOSFET, N沟道, 94 A, 300 V, 0.036 ohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-3-3 TO-268-2 TO-247-3
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.036 Ω - 0.036 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 1.04 kW 1040W (Tc) 1.04 kW
阈值电压 5 V 3 V 5 V
漏源极电压(Vds) 300 V 300 V 300 V
连续漏极电流(Ids) 94A 94A 94A
输入电容(Ciss) 5510pF @25V(Vds) 5510pF @25V(Vds) 5510pF @25V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1040W (Tc) 1040W (Tc) 1040W (Tc)
通道数 - 1 1
上升时间 - 19 ns 19 ns
下降时间 - 11 ns 11 ns
漏源击穿电压 - - 300 V
额定功率(Max) - - 1040 W
长度 15.8 mm 16.05 mm 16.26 mm
宽度 4.9 mm 14 mm 5.3 mm
高度 20.3 mm 5.1 mm 21.46 mm
封装 TO-3-3 TO-268-2 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2016/06/20 - 2015/06/15
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 - - EAR99