FDY300NZ和NTA4153NT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDY300NZ NTA4153NT1G NTK3134NT1H

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDY300NZ  晶体管, MOSFET, N沟道, 600 mA, 20 V, 0.24 ohm, 4.5 V, 1 VN 通道功率 MOSFET,20V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor20V,0.89A,350mΩ,小信号N沟道MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SC-89-3 SC-75-3 SOT-723-3

额定电压(DC) - 20.0 V -

额定电流 - 915 mA -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.24 Ω 0.127 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 625 mW 300 mW -

阈值电压 1 V 760 mV -

输入电容 - 110 pF -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 20.0 V 26 V -

栅源击穿电压 ±12.0 V ±6.00 V -

连续漏极电流(Ids) 600 mA 915 mA 0.89A

上升时间 8 ns 4.4 ns 4.8 ns

输入电容(Ciss) 60pF @10V(Vds) 110pF @16V(Vds) 79pF @16V(Vds)

额定功率(Max) 446 mW 300 mW -

下降时间 2.4 ns 7.6 ns 7.4 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625mW (Ta) 300 mW 450 mW

通道数 - - 1

长度 1.7 mm 1.65 mm -

宽度 0.98 mm 1.6 mm -

高度 0.78 mm 0.8 mm -

封装 SC-89-3 SC-75-3 SOT-723-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 - NLR -

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