CY7C1413KV18-300BZC和CY7C1413KV18-300BZXC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1413KV18-300BZC CY7C1413KV18-300BZXC

描述 36 - Mbit的QDR ? II SRAM 4字突发架构 36-Mbit QDR? II SRAM 4-Word Burst Architecture36 - Mbit的QDR ? II SRAM 4字突发架构 36-Mbit QDR? II SRAM 4-Word Burst Architecture

数据手册 --

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165

供电电流 540 mA 540 mA

时钟频率 300 MHz 300 MHz

位数 18 18

存取时间 0.45 ns 0.45 ns

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) - 1.9 V

电源电压(Min) - 1.7 V

封装 FBGA-165 FBGA-165

高度 - 0.89 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead 无铅

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