PBSS5580PA和PBSS5580PA,115

对比图

型号 PBSS5580PA PBSS5580PA,115 PBSS5560PA

描述 PNP 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP SemiconductorsHUSON3 PNP 80V 4ASmall Signal Bipolar Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 HUSON-3 SOT-3 HUSON-3

引脚数 3 - -

极性 PNP PNP -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V -

集电极最大允许电流 4A 4A -

最小电流放大倍数(hFE) 70 140 @2A, 2V -

最大电流放大倍数(hFE) - 265 -

额定功率(Max) - 2.1 W -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 500 mW - -

宽度 2.1 mm 2.1 mm -

封装 HUSON-3 SOT-3 HUSON-3

长度 2.1 mm - -

高度 0.65 mm - -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free PB free

REACH SVHC标准 No SVHC - -