CY62167DV30LL-55BVXI和CY62167DV30LL-70BVI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY62167DV30LL-55BVXI CY62167DV30LL-70BVI IS64WV102416BLL-10MA3

描述 SRAM 16 Mb (1 M x 16) 3 V 超低 待机 & 工作功耗 48-VFBGA I-TEMPRAM 存储器,Cypress Semiconductor### SRAM(静态随机存取存储器)SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 16M-Bit 1M x 16 10ns 48Pin TFBGA

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 48 48 48

封装 VFBGA-48 VFBGA-48 TFBGA-48

供电电流 30 mA 25 mA -

时钟频率 - 1 MHz -

位数 16 16 16

存取时间 55 ns 70 ns -

存取时间(Max) 55 ns 70 ns 10 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.2V ~ 3.6V 2.2V ~ 3.6V 2.4V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V -

电源电压(Min) 2.2 V 2.2 V -

频率 1.00 MHz - -

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) - -

内存容量 2000000 B - -

长度 - 9.5 mm -

宽度 - 8 mm -

高度 - 0.21 mm -

封装 VFBGA-48 VFBGA-48 TFBGA-48

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 125℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a EAR99

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