对比图
型号 HGTG40N60B3 STGW40NC60V IRGP4069DPBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG40N60B3 单晶体管, IGBT, 70 A, 2 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 引脚N沟道50A - 600V TO- 247超高速IGBT PowerMESH⑩ N-CHANNEL 50A - 600V TO-247 Hyper Fast PowerMESH⑩ IGBTCo-Pack IGBT 超过 21A，InfineonInfineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项，以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用，且由于具有低切换损耗，可支持各种切换频率。IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管，用于桥式配置 ### IGBT 晶体管，International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定功率 - - 268 W
针脚数 3 - 3
耗散功率 290 W 260 W 268 W
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V
反向恢复时间 - - 120 ns
额定功率(Max) 290 W 260 W 268 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 290000 mW 260000 mW 268 W
额定电压(DC) 600 V 600 V -
额定电流 70.0 A 50.0 A -
极性 N-Channel N-Channel -
上升时间 - 17.0 ns -
长度 15.87 mm 15.75 mm 15.87 mm
宽度 4.82 mm 5.15 mm 5.31 mm
高度 20.82 mm 20.15 mm 20.7 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99