STF7NM50N和STF8NM50N

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STF7NM50N STF8NM50N

描述 N沟道500V - 0.70ヘ - 5A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.70ヘ - 5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh⑩ Power MOSFETN 通道 MDmesh™,500V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 0.73 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 20W (Tc) 20 W

阈值电压 - 3 V

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 2.50 A 5A

上升时间 - 4.4 ns

输入电容(Ciss) 400pF @50V(Vds) 364pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 20 W 20 W

下降时间 - 8.8 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) 20W (Tc) 20W (Tc)

长度 - 10.4 mm

宽度 - 4.6 mm

高度 - 16.4 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台