对比图
型号 PHB20NQ20T PHB20NQ20T,118 STB19NF20
描述 N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistorD2PAK N-CH 200V 20ASTB19NF20 系列 200 V 0.16 Ohm 表面贴装 N 沟道 功率 MOSFET - D2PAK
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
封装 D2PAK TO-263-3 TO-263-3
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - - 3
极性 N-CH N-CH -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 20A 20A -
耗散功率 - 150 W 90 W
输入电容(Ciss) - 2470pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 150 W 90 W
工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 150W (Tc) 90W (Tc)
通道数 - - 1
上升时间 - - 22 ns
下降时间 - - 11 ns
封装 D2PAK TO-263-3 TO-263-3
长度 - - 10.75 mm
宽度 - - 10.4 mm
高度 - - 4.6 mm
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - - EAR99