NTE2395和RFP50N06

对比图

型号 NTE2395 RFP50N06 FQP50N06

描述 NTE ELECTRONICS  NTE2395  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 28 mohm, 10 V, 4 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  RFP50N06  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 22 mohm, 10 V, 4 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP50N06  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 22 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 NTE Electronics Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 60.0 V 60.0 V

额定电流 - 50.0 A 50.0 A

额定功率 - 131 W -

通道数 - 1 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.028 Ω 22 mΩ 0.022 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 150 W 131 W 120 W

阈值电压 4 V 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60.0V (min) 60 V 60.0 V

连续漏极电流(Ids) 50.0 A 50.0 A 50.0 A

上升时间 110 ns 55 ns 105 ns

输入电容(Ciss) 1900pF @25V(Vds) 2020pF @25V(Vds) 1540pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 131 W 120 W

下降时间 92 ns 13 ns 65 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 150000 mW 131 W 120000 mW

输入电容 - - 1.18 nF

栅电荷 - - 31.0 nC

栅源击穿电压 - - ±25.0 V

长度 - 10.67 mm 10.1 mm

宽度 - 4.83 mm 4.7 mm

高度 - 9.4 mm 9.4 mm

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 - - NLR

HTS代码 85412900951 - -