APT6011LVRG和IXFK44N60

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT6011LVRG IXFK44N60 APT6011LVR

描述 TO-264 N-CH 600V 49AN 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ 系列### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备TO-264 N-CH 600V 49A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-264 TO-264-3 TO-264

额定电压(DC) 600 V 600 V -

额定电流 49.0 A 44.0 A -

极性 N-CH - N-CH

输入电容 8.90 nF - -

栅电荷 450 nC - -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 49.0 A 44.0 A 49A

上升时间 16 ns 50 ns -

输入电容(Ciss) 8900pF @25V(Vds) 8900pF @25V(Vds) -

下降时间 6 ns 40 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 625000 mW 560W (Tc) -

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 130 mΩ -

耗散功率 - 560 W -

漏源击穿电压 - 600 V -

额定功率(Max) - 560 W -

封装 TO-264 TO-264-3 TO-264

长度 - 19.96 mm -

宽度 - 5.13 mm -

高度 - 26.16 mm -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

材质 - Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

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