KA358D和LM358DG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KA358D LM358DG LM358D

描述 IC OPAMP GP 8SOICON SEMICONDUCTOR  LM358DG  运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 0.6 V/µs, 3V 至 32V, SOIC, 8 引脚TEXAS INSTRUMENTS  LM358D  芯片, 运算放大器, 700KHZ, 0.3V/US, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作电压 - 3V ~ 32V 3V ~ 32V

输出电流 30mA @5V 60 mA 30mA @15V

供电电流 800 µA 1.5 mA 1 mA

电路数 2 2 2

通道数 - 2 2

针脚数 - 8 8

共模抑制比 - 70 dB 65 dB

输入补偿漂移 - - 7.00 µV/K

带宽 - 1 MHz 700 kHz

转换速率 - 600 mV/μs 300 mV/μs

增益频宽积 - 1 MHz 700 kHz

输入补偿电压 2.9 mV 2 mV 3 mV

输入偏置电流 45 nA 45 nA 20 nA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

增益带宽 - 1 MHz 0.7 MHz

共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 65 dB

电源电压(DC) - 5.00 V -

无卤素状态 - Halogen Free -

电源电压 - 3V ~ 32V -

输入电压 - 0V ~ 28.3V -

长度 - 5 mm 4.9 mm

宽度 - 4 mm 3.91 mm

高度 - 1.5 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

香港进出口证 - - NLR

ECCN代码 - EAR99 -

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