对比图
描述 ON SEMICONDUCTOR BS170G 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2 VON SEMICONDUCTOR BS170RLRAG 场效应管, MOSFET, N沟道, 0.350W, TO-92N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V
额定电流 500 mA 500 mA 500 mA
额定功率 83 W - -
通道数 1 1 -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 5 Ω 5 Ω 1.2 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 350 mW 350 mW 830 mW
阈值电压 2 V 2 V 2.1 V
输入电容 60.0 pF - -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 90 V 60 V 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 500 mA 500 mA 500 mA
输入电容(Ciss) 60pF @10V(Vds) 60pF @10V(Vds) 40pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 350 mW 350 mW 830 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 350mW (Ta) 350mW (Ta) 830 mW
长度 4.45 mm 5.2 mm 5.2 mm
宽度 4.19 mm 4.19 mm 4.19 mm
封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3
高度 - 5.33 mm 5.33 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Box Tape & Reel (TR) Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2018/01/15 - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
香港进出口证 - NLR -