对比图
型号 APT5010JN IXFN48N50 IXFN48N50U2
描述 Trans MOSFET N-CH 500V 48A 4Pin SOT-227IXYS SEMICONDUCTOR IXFN48N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 500 V, 100 mohm, 10 V, 4 VTrans MOSFET N-CH 500V 48A 4Pin SOT-227B
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Screw Screw Chassis
引脚数 4 4 4
封装 SOT-227 SOT-227-4 SOT-227-4
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
上升时间 25 ns 60.0 ns 60 ns
输入电容(Ciss) 5570pF @25V(Vds) 8400pF @25V(Vds) 8400pF @25V(Vds)
下降时间 12 ns - 30 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -40 ℃
耗散功率(Max) 520000 mW 520W (Tc) 520W (Tc)
耗散功率 - 520 W 520W (Tc)
额定功率(Max) - 520 W 520 W
额定电压(DC) - 500 V -
额定电流 - 48.0 A -
额定功率 - 520 W -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.1 Ω -
极性 - N-Channel -
阈值电压 - 4 V -
连续漏极电流(Ids) - 48.0 A -
封装 SOT-227 SOT-227-4 SOT-227-4
产品生命周期 Obsolete Active Obsolete
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -
材质 - - Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99 -
HTS代码 - 8541290095 -