对比图
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDV301N 晶体管, MOSFET, N沟道, 220 mA, 25 V, 3.1 ohm, 4.5 V, 850 mVTrans MOSFET N-CH 25V 0.5A 3Pin SOT-23 T/R
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V
额定电流 220 mA 220 mA
漏源极电阻 3.1 Ω 5.00 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 350 mW 350 mW
输入电容 9.50 pF 9.50 pF
栅电荷 700 pC 700 pC
漏源极电压(Vds) 25 V 25 V
漏源击穿电压 25.0 V 25.0 V
栅源击穿电压 8.00 V 8.00 V
连续漏极电流(Ids) 220 mA 220 mA
上升时间 6 ns 6 ns
输入电容(Ciss) 9.5pF @10V(Vds) 9.5pF @10V(Vds)
下降时间 3.5 ns 6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 350mW (Ta) 350mW (Ta)
针脚数 3 -
阈值电压 850 mV -
额定功率(Max) 350 mW -
额定功率 350 mW -
长度 2.92 mm 2.9 mm
宽度 1.3 mm 1.3 mm
高度 0.93 mm 1.2 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 -