GI812HE3/54和GI812-E3/54

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GI812HE3/54 GI812-E3/54 1N4935

描述 Diode Switching 200V 1A 2Pin DO-15 T/RDiode Switching 200V 1A 2Pin DO-15 T/RRectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-15,

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Fagor Electronica (法格)

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 DO-15 DO-204AC -

正向电压 1.2V @1A 1.2V @1A -

反向恢复时间 750 ns 750 ns -

正向电流 1 A - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) 65 ℃ - -

正向电压(Max) - 1.2V @1A -

长度 7.6 mm - -

宽度 3.6 mm - -

高度 3.6 mm - -

封装 DO-15 DO-204AC -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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