ATP10和ATP106-TL-H

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ATP10 ATP106-TL-H ATP108

描述 Power Field-Effect TransistorP 通道功率 MOSFET,30V 至 500V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON SemiconductorDPAK(Single Gauge)/ATPAK P-CH -40V -70A 16.5mΩ

数据手册 ---

制造商 Sanyo Semiconductor (三洋) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 - ATPAK-3 DPAK

无卤素状态 - Halogen Free -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.019 Ω 16.5 mΩ

极性 - P-Channel P-CH

耗散功率 - 40 W 60 W

阈值电压 - 2.6 V -2.6V

漏源极电压(Vds) - 40 V -40V

上升时间 - 120 ns -

输入电容(Ciss) - 1380pF @20V(Vds) -

额定功率(Max) - 40 W -

下降时间 - 90 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 40W (Tc) -

连续漏极电流(Ids) - - -70A

长度 - 6.5 mm -

宽度 - 7.3 mm -

高度 - 1.5 mm -

封装 - ATPAK-3 DPAK

工作温度 - 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

最小包装 - - 3000

RoHS标准 - RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

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