IS61NLP102418B-200B3LI和IS61NLP102418B-200B3LI-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS61NLP102418B-200B3LI IS61NLP102418B-200B3LI-TR

描述 静态随机存取存储器 18Mb No-Wait/ Pipeline SyncSRAM Chip Sync 3.3V 18M-bit 1M x 18 3ns 165Pin TFBGA

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165

封装 TBGA-165 TBGA-165

时钟频率 200 MHz -

位数 18 18

存取时间 3 ns 3 ns

存取时间(Max) 3 ns 3 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.465V 3.135V ~ 3.465V

封装 TBGA-165 TBGA-165

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

ECCN代码 EAR99 -

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