IXFV12N80P和IXFV12N80PS

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFV12N80P IXFV12N80PS APT8075SN

描述 Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3Pin(3+Tab) PLUS 220Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3Pin(2+Tab) PLUS220 SMDPower Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D3PAK-3

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Advanced Power Technology

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount -

封装 TO-220-3 PLUS-220 -

引脚数 - 3 -

耗散功率 360W (Tc) 360 W -

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V -

输入电容(Ciss) 2800pF @25V(Vds) 2800pF @25V(Vds) -

耗散功率(Max) 360W (Tc) 360W (Tc) -

漏源极电阻 - 850 mΩ -

极性 - N-Channel -

阈值电压 - 5 V -

连续漏极电流(Ids) - 12.0 A -

反向恢复时间 - 250 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

封装 TO-220-3 PLUS-220 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2014/06/16 -

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