对比图
型号 IXTA05N100 IXTA05N100HV IXTP05N100
描述 Trans MOSFET N-CH 1kV 0.75A 3Pin(2+Tab) TO-263AAMosfet n-Ch 1kV 750mA To263IXTP 系列 单 N沟道 1000 V 17 Ohm 40 W 高压 Mosfet - TO-220AB
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220-3
通道数 - - 1
漏源极电阻 - - 17 Ω
极性 - - N-CH
耗散功率 40W (Tc) 40W (Tc) 40 W
阈值电压 - - 4.5 V
漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 1000 V
漏源击穿电压 - - 1000 V
连续漏极电流(Ids) - - 0.75A
上升时间 19 ns 19 ns 19 ns
输入电容(Ciss) 260pF @25V(Vds) 260pF @25V(Vds) 260pF @25V(Vds)
下降时间 28 ns 28 ns 28 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 40W (Tc) 40W (Tc) 40W (Tc)
额定功率(Max) 40 W - -
长度 - - 10.41 mm
宽度 - - 4.83 mm
高度 - - 16 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
香港进出口证 - - NLR