对比图
型号 BZV85-C51 BZX85C51-TAP BZX85C51
描述 齐纳二极管 1.3W,BZV85 系列,Nexperia### 齐纳二极管,NexperiaVISHAY BZX85C51-TAP 齐纳二极管, Vz: 51V硅外延平面的Z-二极管 Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
数据手册 ---
制造商 Nexperia (安世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 齐纳二极管齐纳二极管
封装 DO-41 DO-41 DO-41
安装方式 Through Hole Through Hole -
引脚数 2 2 -
封装 DO-41 DO-41 DO-41
长度 4.8 mm 4.1 mm -
宽度 2.6 mm 2.6 mm -
高度 2.6 mm 2.6 mm -
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 - Cut Tape (CT) -
测试电流 4 mA 4 mA -
稳压值 51 V 51 V -
工作温度(Max) 200 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -65 ℃ 55 ℃ -
耗散功率(Max) 1300 mW - -
容差 - ±5 % -
额定功率 - 1.3 W -
击穿电压 - 51 V -
针脚数 - 2 -
耗散功率 - 1.3 W -
额定功率(Max) - 1.3 W -
温度系数 48.65 mV/℃ - -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -
RoHS标准 RoHS Compliant -
含铅标准 - 无铅 -