BZV85-C51和BZX85C51-TAP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZV85-C51 BZX85C51-TAP BZX85C51

描述 齐纳二极管 1.3W,BZV85 系列,Nexperia### 齐纳二极管,NexperiaVISHAY  BZX85C51-TAP  齐纳二极管, Vz: 51V硅外延平面的Z-二极管 Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes

数据手册 ---

制造商 Nexperia (安世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

封装 DO-41 DO-41 DO-41

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 2 2 -

封装 DO-41 DO-41 DO-41

长度 4.8 mm 4.1 mm -

宽度 2.6 mm 2.6 mm -

高度 2.6 mm 2.6 mm -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 - Cut Tape (CT) -

测试电流 4 mA 4 mA -

稳压值 51 V 51 V -

工作温度(Max) 200 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 1300 mW - -

容差 - ±5 % -

额定功率 - 1.3 W -

击穿电压 - 51 V -

针脚数 - 2 -

耗散功率 - 1.3 W -

额定功率(Max) - 1.3 W -

温度系数 48.65 mV/℃ - -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 - 无铅 -

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