FF450R12KT4HOSA1和SKM400GB12T4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FF450R12KT4HOSA1 SKM400GB12T4 SKM400GB12V

描述 INFINEON  FF450R12KT4HOSA1  晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 580 A, 1.75 V, 2.4 kW, 1.2 kV, ModuleSEMIKRON  SKM400GB12T4  晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 616 A, 1.8 V, 1.2 kV, ModuleSEMIKRON  SKM400GB12V  晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 612 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Semikron (赛米控) Semikron (赛米控)

分类 IGBT晶体管晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 - Screw -

引脚数 7 7 7

封装 62MM-1 Module Module

针脚数 7 7 7

极性 NPN Dual N-Channel Dual N-Channel

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率 2.4 kW - -

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V - -

输入电容(Cies) 28nF @25V - -

额定功率(Max) 2400 W - -

耗散功率(Max) 2400000 mW - -

封装 62MM-1 Module Module

长度 106.4 mm - -

宽度 61.4 mm - -

高度 30.9 mm - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2018/06/27 2015/06/15 2015/06/15

含铅标准 Lead Free - Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active - -

包装方式 Tray - -

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