对比图
型号 IS43DR16160A-3DBL IS43DR16160B-3DBL
描述 DDR DRAM, 16MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.5MM, 1.2MM HEIGHT, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, TWBGA-84256M, 1.8V, DDR2, 16Mx16, 333MHz @ CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS
数据手册 --
制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 RAM芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 84 84
封装 TFBGA-84 TFBGA-84
供电电流 - 250 mA
位数 - 16
存取时间 - 450 ps
存取时间(Max) - 0.45 ns
工作温度(Max) - 70 ℃
工作温度(Min) - 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
封装 TFBGA-84 TFBGA-84
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 无铅
ECCN代码 - EAR99