对比图
型号 IXTA75N10P IXTQ75N10P STB60NF10T4
描述 MOSFET N-CH 100V 75A TO-263TO-3P N-CH 100V 75AN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-263-3 TO-3-3 TO-263-3
耗散功率 360 W 360 W 300W (Tc)
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
上升时间 53 ns 53 ns 56 ns
输入电容(Ciss) 2250pF @25V(Vds) 2250pF @25V(Vds) 4270pF @25V(Vds)
下降时间 45 ns 45 ns 23 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 360W (Tc) 360W (Tc) 300W (Tc)
通道数 - 1 1
漏源极电阻 - 21 mΩ -
极性 - N-CH N-Channel
阈值电压 - 5.5 V -
漏源击穿电压 - 100 V -
连续漏极电流(Ids) - 75A 40.0 A
额定电压(DC) - - 100 V
额定电流 - - 80.0 A
输入电容 - - 4270 pF
额定功率(Max) - - 300 W
封装 TO-263-3 TO-3-3 TO-263-3
长度 - 15.8 mm 10.75 mm
宽度 - 4.9 mm 10.4 mm
高度 - 20.3 mm 4.6 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC