PBHV9050Z和PBHV9050Z,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PBHV9050Z PBHV9050Z,115 PBHV9050Z,135

描述 NXP### 双极性晶体管,NXP SemiconductorsNXP  PBHV9050Z,115  单晶体管 双极, PNP, -500 V, 50 MHz, 700 mW, -250 mA, 160 hFESmall Signal Bipolar Transistor, 0.25A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 4 -

封装 SOT-223 TO-261-4 -

频率 - 50 MHz -

针脚数 3 3 -

极性 PNP PNP -

耗散功率 700 mW 700 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 500 V 500 V -

集电极最大允许电流 0.25A 0.25A -

最小电流放大倍数(hFE) 70 80 @50mA, 10V -

额定功率(Max) - 700 mW -

直流电流增益(hFE) 160 160 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1400 mW 1400 mW -

封装 SOT-223 TO-261-4 -

长度 6.7 mm - -

宽度 3.7 mm - -

高度 1.8 mm - -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

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