BTS129和BTS131

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BTS129 BTS131 BTS130

描述 TEMPFET (N沟道增强型温度传感器晶闸管特性) TEMPFET(N channel Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic)TEMPFET ( N沟道逻辑电平增强模式,温度传感器晶闸管特性) TEMPFET(N channel Logic level Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic)TEMPFET (N沟道增强型温度传感器晶闸管特性) TEMPFET(N channel Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic)

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220 -

通道数 1 - -

漏源极电阻 50 mΩ - -

耗散功率 75 W - -

漏源击穿电压 60 V - -

上升时间 60 ns 60 ns -

输入电容(Ciss) 940pF @25V(Vds) 1050pF @25V(Vds) -

下降时间 75 ns 75 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 75000 mW 75000 mW -

长度 10 mm - -

宽度 4.4 mm - -

高度 15.65 mm - -

封装 TO-220-3 TO-220 -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube, Rail -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

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