对比图
型号 IXFN25N90 IXFN26N90 IXFX26N90
描述 SOT-227B N-CH 900V 25AIXYS SEMICONDUCTOR IXFN26N90 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 26 A, 900 V, 300 mohm, 10 V, 5 VN沟道 900V 26A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Screw Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 TO-247-3
通道数 - - 1
漏源极电阻 - 300 mΩ 300 mΩ
耗散功率 600 W 600 W 560 W
漏源极电压(Vds) 900 V 900 V 900 V
漏源击穿电压 - - 900 V
上升时间 - 35 ns 35 ns
输入电容(Ciss) 10800pF @25V(Vds) 10800pF @25V(Vds) 10800pF @25V(Vds)
下降时间 - 24 ns 24 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 600W (Tc) 600W (Tc) 560W (Tc)
额定电压(DC) - 900 V -
额定电流 - 26.0 A -
针脚数 - 3 -
极性 N-CH N-Channel -
阈值电压 - 5 V -
连续漏极电流(Ids) 25A 26.0 A -
隔离电压 - 2.50 kV -
额定功率(Max) 600 W 600 W -
长度 - - 16.13 mm
宽度 - - 5.21 mm
高度 - - 21.34 mm
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 TO-247-3
材质 - - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
重量 - 44.0 g -
产品生命周期 Obsolete Obsolete Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -