MRF141G和MRF175GV

对比图

型号 MRF141G MRF175GV 175G

描述 射频功率场效应管300W ， 175MHz的， 28V RF Power FET 300W, 175MHz, 28VN沟道MOS宽带射频功率FET N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FETsRF Power Field-Effect Transistor, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

数据手册 ---

制造商 M/A-Com M/A-Com Advanced Semiconductor

分类 晶体管晶体管

引脚数 5 4 -

封装 375-04 375-04 -

安装方式 Flange - -

频率 175 MHz 225 MHz -

额定电流 - 26 A -

耗散功率 500000 mW 400000 mW -

输出功率 300 W 200 W -

增益 14 dB 14 dB -

测试电流 500 mA 100 mA -

输入电容(Ciss) 350pF @28V(Vds) 180pF @28V(Vds) -

耗散功率(Max) 500000 mW 400000 mW -

额定电压 65 V 65 V -

漏源击穿电压 65.0V (min) - -

封装 375-04 375-04 -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 EAR99 - -

香港进出口证 NLR - -