IRF5210STRLPBF和IXTA52P10P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF5210STRLPBF IXTA52P10P IRF5210STRRPBF

描述 INFINEON  IRF5210STRLPBF  场效应管, MOSFET, P沟道, -100V, 40A D2-PAK, 整卷D2PAK P-CH 100V 52AP沟道 100V 38A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) IXYS Semiconductor Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 3.8 W - 3.8 W

通道数 1 - 1

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.06 Ω - -

极性 P-CH P-CH P-Channel

耗散功率 3.8 W 300 W 3.1 W

阈值电压 4 V - 4 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V - -

连续漏极电流(Ids) 38A 52A 38A

上升时间 63 ns 29 ns 63 ns

输入电容(Ciss) 2780pF @25V(Vds) 2845pF @25V(Vds) 2780pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.1 W - -

下降时间 55 ns 22 ns 55 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 170W (Tc) 300W (Tc) 3.1W (Ta), 170W (Tc)

输入电容 - - 2780 pF

长度 10.67 mm - 6.5 mm

宽度 9.65 mm - 6.22 mm

高度 4.83 mm 4.83 mm 2.3 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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